RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
43
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3162
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link