RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2354
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link