RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3711
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link