RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2783
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link