RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
49
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2427
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link