RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2349
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link