RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
46
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
46
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2660
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link