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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
46
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
46
读取速度,GB/s
12.3
16.0
写入速度,GB/s
8.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2660
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
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