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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
62
左右 42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
62
读取速度,GB/s
15.0
16.1
写入速度,GB/s
10.3
6.0
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
1586
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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