RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
55
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2699
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link