RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
3601
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link