RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2065
3601
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link