RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
3726
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link