RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2619
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link