RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
43
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2501
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link