RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2938
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link