RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2340
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1PS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link