RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
3826
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link