RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2949
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link