RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2361
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link