RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
46
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
46
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2048
2079
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link