RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1993
1920
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link