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SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1993
1920
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
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