RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3740
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link