RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
77
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
77
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
1440
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link