RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
77
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
77
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
1440
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link