RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2704
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link