RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2664
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link