RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2029
3866
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link