RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
41
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2290
3681
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link