RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3188
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GR7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link