RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
72
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
72
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
1951
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link