RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3675
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link