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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB 需要考虑的原因
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 49
    左右 -69% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.8 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 18.8
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 3675

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内存RAM
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Kingston 9905702-121.A00G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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AMD R7416G2400U2S 16GB
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