RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3073
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link