RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3033
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link