RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
32
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
2714
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link