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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
32
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
32
读取速度,GB/s
17.7
16.0
写入速度,GB/s
13.1
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2714
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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