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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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规格
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
11.7
16.8
写入速度,GB/s
7.2
14.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3262
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
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