RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
2148
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link