RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3936
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link