RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2113
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link