RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3323
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link