RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3063
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link