RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
95
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
95
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
1518
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link