RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
74
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
74
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
1825
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link