RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2535
3546
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link