RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2535
2474
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link