RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
64
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
64
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2535
2052
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link