RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2983
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link