RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3559
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link